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計劃2020年投產 博世開始研發碳化硅

發布時間:2019年10月10日 來源:汽車之家 [ ] 打印 視力


  [汽車之家 新聞]  據了解,德國企業博世目前正在研發碳化硅(SiC)半導體,用以進一步提升電動車的能源使用效率,預計該半導體材料將于2020年開始投產。

  碳化硅被業界普遍認為是下一代功率半導體材料,它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢。相比如今的IGBT功率半導體,它的發熱更低,效率更高,節省的能耗能夠為電動車帶來約6%的續航里程提升。

  如今,電動車企普遍依靠提升電池容量的方式來增加續航里程,然而受限于電池技術的發展速度以及成本,電動車企已經很難再通過此方法獲得顯著的續航提升,且要面臨較高的安全風險。在這樣的背景下,如何提升電動車的能源使用效率,降低能耗成為業界提升電動車續航的另一個思路。目前,特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X車型的驅動系統電控單元上,率先采用了碳化硅半導體,并帶來了出色的能耗表現。博世或許正是看到了碳化硅半導體長遠的發展前景,所以開始著力研發碳化硅半導體,但它也存在制造成本過高的問題,有待制造商解決。

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